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SK海力士无锡厂受美国商务部管制半导体设备进口冲击，无法转进主流制程，在终端需求惨澹之下，将逆势调高21nm旧制程产能，加深消费型DRAM供给面疑虑，集邦科技预估，SK海力士的增产行动将冲击Consumer DRAM价格，本季价格落底无望，恐续跌10～15％。
美国商务部去年10月7日颁布半导体限制措施，中国境内18nm制程以下设备进口，需经商务部审查，SK海力士无锡厂获得一年的生产许可，但由于担忧地缘政治风险升高，加上需求清淡导致库存压力持续，于今年第一季开始减产，该厂每月投片量减少约30％。
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TrendForce分析，无锡厂主流制程为1Ynm，原先计画将产能持续转进1Znm，并降低旧制程产量，然而，未来制程转进受限于美禁令影响，故SK海力士决议提升21nm产线比重，该制程主要产品为DDR3、DDR4 4Gb，占SK海力士整体Consumer DRAM出货不到三成。
但TrendForce示警，由于SK海力士延长旧制程产线，小容量的Consumer DRAM供给量将会逐渐增加，台系供应链包括南亚科、华邦以及协助IC设计厂代工的力积电均供应DDR3 4Gb；DDR4 4Gb目前则以南亚科为主。
TrendForce从需求面观察，今年第一季Consumer DRAM需求端来看，因电视库存去化较早，因此SoC近期订单小幅增加，需求相对好转；车用需求虽有一定支撑，但目前市场规模仍小；网通需求能见度仍低，买方普遍保守看待，且认为下半年订单需求还会降低。TrendForce表示，尽管原厂陆续减产Consumer DRAM，但纳入库存水位计算，整体仍处供过于求，预估第二季均价仍有10～15％跌幅。
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